Energiýa saklaýyş ulgamynyň bahasy esasan batareýalardan we energiýa saklaýjy inwertorlardan durýar. Ikisiniň jemi elektrokimiki energiýa saklaýyş ulgamynyň bahasynyň 80% -ini emele getirýär, şolardan 20% -i energiýa saklaýjy inwertor. IGBT izolýasiýa paneli bipolýar kristal, energiýa saklaýjy inwertoryň ýokary akym çig malydyr. IGBT-iň öndürijiligi, energiýa saklaýjy inwertoryň öndürijiligini kesgitleýär, inwertoryň bahasynyň 20% -30% -ini düzýär.
IGBT-iň energiýa saklamak pudagyndaky esasy roly, energiýa saklaýyş programmalarynda aýrylmaz enjam bolan transformator, ýygylygy öwürmek, interwolýusiýa öwrülişi we ş.m.
Surat: IGBT moduly
Energiýa saklaýjy üýtgeýjileriň ýokary çig malyna IGBT, sygymlylyk, garşylyk, elektrik garşylygy, PCB we ş.m. girýär, olaryň arasynda IGBT henizem importa bagly. Içerki IGBT-iň tehnologiýa derejesinde we dünýäniň öňdebaryjy derejesinde henizem boşluk bar. Şeýle-de bolsa, Hytaýyň energiýa saklaýyş pudagynyň çalt ösmegi bilen IGBT-iň içerkilaşdyryş prosesi hem çaltlaşar diýlip garaşylýar.
IGBT energiýa saklaýyş amaly bahasy
Fotowoltaik bilen deňeşdirilende, IGBT energiýa saklaýyş gymmaty has ýokary. Energiýa saklaýjy, iki baglanyşygy öz içine alýan has köp IGBT we SIC ulanýar: DCDC we DCAC, şol sanda optiki saklaýyş integrirlenen we aýratyn energiýa saklaýyş ulgamy ýaly iki çözgüt. Garaşsyz energiýa saklaýyş ulgamy, ýarymgeçiriji enjamlaryň mukdary fotowoltaikden 1,5 esse köp. Häzirki wagtda optiki ammar 60-70% -den gowrak, aýratyn energiýa saklaýyş ulgamy 30% bolup biler.
Surat: BYD IGBT moduly
IGBT, energiýa saklaýjy inwertordaky MOSFET-den has amatly programma gatlaklarynyň giň toparyna eýedir. Hakyky taslamalarda IGBT kem-kemden MOSFET-i fotoelektrik inwertorlarynyň we ýel energiýasynyň öndürilişiniň esasy enjamy hökmünde çalşdy. Täze energiýa energiýasy öndürýän pudagyň çalt ösmegi IGBT pudagy üçin täze hereketlendiriji güýje öwrüler.
IGBT energiýany üýtgetmek we geçirmek üçin esasy enjamdyr
IGBT, klapan dolandyryşy bilen akýan elektron iki taraplaýyn (köp ugurly) gözegçilik edýän tranzistor hökmünde doly düşünilip bilner.
IGBT, BJT bipolýar üçlüginden we izolýasiýa paneli meýdan effekt turbasyndan düzülen doly gözegçilikli naprýa .eniýe bilen işleýän güýçli ýarymgeçiriji enjamdyr. Basyşyň peselmeginiň iki tarapynyň artykmaçlyklary.
Surat: IGBT modul gurluşynyň shematiki diagrammasy
IGBT-iň kommutasiýa funksiýasy, IGBT sürmek üçin PNP tranzistoryna esasy tok üpjün etmek üçin derwezäniň naprýa .eniýesine polo positiveitel goşup kanal döretmekdir. Munuň tersine, kanaly ýok etmek, ters esasy tokdan akmak we IGBT-i öçürmek üçin ters gapy naprýa .eniýesini goşuň. IGBT-iň hereketlendiriş usuly, esasan, MOSFET bilen deňdir. Diňe N bir kanally MOSFET giriş polýusyna gözegçilik etmeli, şonuň üçin ýokary giriş impedans aýratynlyklaryna eýe.
IGBT energiýa öwrülişiginiň we geçirişiniň esasy enjamy. Adatça elektrik elektron enjamlarynyň “CPU” diýlip atlandyrylýar. Milli strategiki ösýän pudak hökmünde täze energiýa enjamlarynda we beýleki ugurlarda giňden ulanyldy.
IGBT-de ýokary giriş impedansy, pes dolandyryş güýji, ýönekeý hereketlendiriji zynjyr, çalt kommutasiýa tizligi, uly döwlet togy, sowulma basyşy we ownuk ýitgi ýaly köp artykmaçlygy bar. Şonuň üçin häzirki bazar gurşawynda mutlak artykmaçlyklary bar.
Şonuň üçin IGBT häzirki güýç ýarymgeçiriji bazarynyň iň esasy akymyna öwrüldi. Täze energiýa energiýasy öndürmek, elektrik ulaglary we zarýad beriş üýşmeleri, elektrikleşdirilen gämiler, DC geçiriji, energiýa saklaýyş, senagat elektrik gözegçiligi we energiýa tygşytlamak ýaly köp ugurlarda giňden ulanylýar.
Surat:InfineonIGBT moduly
IGBT klassifikasiýasy
Dürli önüm gurluşyna görä, IGBT-iň üç görnüşi bar: bir turba, IGBT moduly we akylly güýç moduly IPM.
(Zarýad beriş üýşmeleri) we beýleki meýdanlar (esasanam häzirki bazarda satylýan şeýle modully önümler). Akylly güýç moduly IPM esasan inwertor kondisionerleri we ýygylygy öwrüji kir ýuwýan maşynlar ýaly ak öý enjamlary ulgamynda giňden ulanylýar.
Programma ssenariýasynyň naprýa .eniýesine baglylykda IGBT ultra-naprýa .eniýe, pes woltly, orta naprýa .eniýe we ýokary naprýa .eniýe ýaly görnüşlere eýe.
Olaryň arasynda täze energiýa ulaglary, senagat gözegçiligi we durmuş enjamlary tarapyndan ulanylýan IGBT esasan orta naprýa .eniýedir, demir ýol tranziti, täze energiýa öndürýän we akylly setler ýokary woltly talaplara eýe, esasanam ýokary woltly IGBT.
IGBT esasan modul görnüşinde ýüze çykýar. IHS maglumatlary, modullaryň we ýeke turbanyň paýynyň 3: 1 bolandygyny görkezýär. Modul, IGBT çipi we FWD (dowamly diod çipi) tarapyndan ýöriteleşdirilen köpri arkaly we plastmassa çarçuwalar, substratlar we substratlar arkaly öndürilen modul ýarymgeçiriji önümdir. we ş.m.
Market ýagdaýy:
Hytaý kompaniýalary çalt ösýär we häzirki wagtda importa garaşly
2022-nji ýylda meniň ýurdumyň IGBT senagaty takmynan 156 million isleg bilen 41 million önüm öndürdi we 26,3 göterim öz-özüni üpjün etdi. Häzirki wagtda içerki IGBT bazary esasan “Yingfei Ling”, “Mitsubishi Motor” we “Fuji Electric” ýaly daşary ýurt öndürijileri tarapyndan eýeleýär, olaryň iň köp paýy 15,9 göterim bolan ingingfei Lingdir.
IGBT modul bazary CR3 56,91%, içerki öndürijileriň “Star Director” we CRRC döwrüniň 5.01% paýy 5.01% boldy. Global IGBT bölüji enjamyň öndürijileriň bazardaky paýy 53,24 göterime ýetdi. Domesticerli öndürijiler dünýädäki IGBT enjamynyň bazardaky paýy 3,5% bilen ilkinji onluga girdi.
IGBT esasan modul görnüşinde ýüze çykýar. IHS maglumatlary, modullaryň we ýeke turbanyň paýynyň 3: 1 bolandygyny görkezýär. Modul, IGBT çipi we FWD (dowamly diod çipi) tarapyndan ýöriteleşdirilen köpri arkaly we plastmassa çarçuwalar, substratlar we substratlar arkaly öndürilen modul ýarymgeçiriji önümdir. we ş.m.
Market ýagdaýy:
Hytaý kompaniýalary çalt ösýär we häzirki wagtda importa garaşly
2022-nji ýylda meniň ýurdumyň IGBT senagaty takmynan 156 million isleg bilen 41 million önüm öndürdi we 26,3 göterim öz-özüni üpjün etdi. Häzirki wagtda içerki IGBT bazary esasan “Yingfei Ling”, “Mitsubishi Motor” we “Fuji Electric” ýaly daşary ýurt öndürijileri tarapyndan eýeleýär, olaryň iň köp paýy 15,9 göterim bolan ingingfei Lingdir.
IGBT modul bazary CR3 56,91%, içerki öndürijileriň “Star Director” we CRRC döwrüniň 5.01% paýy 5.01% boldy. Global IGBT bölüji enjamyň öndürijileriň bazardaky paýy 53,24 göterime ýetdi. Domesticerli öndürijiler dünýädäki IGBT enjamynyň bazardaky paýy 3,5% bilen ilkinji onluga girdi.
Iş wagty: Iýul-08-2023
