Hünär nukdaýnazaryndan çip öndürmek prosesi diýseň çylşyrymly we ýadaw. Şeýle-de bolsa, IC-iň doly önümçilik zynjyryndan esasan dört bölege bölünýär: IC dizaýny → IC önümçiligi → gaplama → synag.
Çip öndürmek prosesi:
1. Çip dizaýny
Çip kiçi göwrümli, ýöne gaty ýokary takyklykly önüm. Çip ýasamak üçin dizaýn birinji bölümdir. Dizaýn, EDA guralynyň we käbir IP ýadrosynyň kömegi bilen gaýtadan işlemek üçin zerur bolan çip dizaýnynyň çip dizaýnynyň kömegini talap edýär.
Çip öndürmek prosesi:
1. Çip dizaýny
Çip kiçi göwrümli, ýöne gaty ýokary takyklykly önüm. Çip ýasamak üçin dizaýn birinji bölümdir. Dizaýn, EDA guralynyň we käbir IP ýadrosynyň kömegi bilen gaýtadan işlemek üçin zerur bolan çip dizaýnynyň çip dizaýnynyň kömegini talap edýär.
3. Silikon götermek
Silikon bölünenden soň, galan materiallar taşlanýar. Birnäçe ädimden soň arassa kremniý ýarymgeçiriji önümçiliginiň hiline ýetdi. Bu diýilýän elektron kremniý.
4. Silikon ýaýlym ingotlary
Arassalanandan soň kremnini kremniniň içine guýmaly. Ingot guýlandan soň elektron görnüşli kremniniň ýekeje kristalynyň agramy takmynan 100 kg, kremniniň arassalygy 99,9999% -e ýetýär.
5. Faýly gaýtadan işlemek
Silikon ingot guýlandan soň, ähli kremniy ingot böleklere bölünmeli, bu adatça wafli diýip atlandyrýan wafli, gaty inçe. Netijede, wafli kämilleşýänçä ýalpyldawuk we ýüzügi aýna ýaly tekiz.
Silikon wafli diametri 8 dýuým (200mm) we diametri 12 dýuým (300mm). Diametri näçe uly bolsa, bir çipiň bahasy şonça pes, ýöne gaýtadan işlemek kynlygy şonça ýokary.
5. Faýly gaýtadan işlemek
Silikon ingot guýlandan soň, ähli kremniy ingot böleklere bölünmeli, bu adatça wafli diýip atlandyrýan wafli, gaty inçe. Netijede, wafli kämilleşýänçä ýalpyldawuk we ýüzügi aýna ýaly tekiz.
Silikon wafli diametri 8 dýuým (200mm) we diametri 12 dýuým (300mm). Diametri näçe uly bolsa, bir çipiň bahasy şonça pes, ýöne gaýtadan işlemek kynlygy şonça ýokary.
7. Gün tutulmagy we ion sanjymy
Ilki bilen, fotorezistiň daşynda açylan kremniniň oksidini we kremniý nitridini poslamaly, kristal turbanyň arasynda izolýasiýa etmek üçin kremniniň bir gatlagyny çökdürmeli, soňra bolsa kremniniň aşaky bölegini açmak üçin eriş tehnologiýasyny ulanmaly. Soňra bor ýa-da fosfor kremniniň gurluşyna sanjym ediň, soňra beýleki tranzistorlar bilen birikmek üçin mis dolduryň we gurluş gatlagyny ýasamak üçin üstüne başga bir ýelim gatlagyny çalyň. Adatça, bir çipde dykyz birleşdirilen awtoulag ýollary ýaly onlarça gatlak bar.
7. Gün tutulmagy we ion sanjymy
Ilki bilen, fotorezistiň daşynda açylan kremniniň oksidini we kremniý nitridini poslamaly, kristal turbanyň arasynda izolýasiýa etmek üçin kremniniň bir gatlagyny çökdürmeli, soňra bolsa kremniniň aşaky bölegini açmak üçin eriş tehnologiýasyny ulanmaly. Soňra bor ýa-da fosfor kremniniň gurluşyna sanjym ediň, soňra beýleki tranzistorlar bilen birikmek üçin mis dolduryň we gurluş gatlagyny ýasamak üçin üstüne başga bir ýelim gatlagyny çalyň. Adatça, bir çipde dykyz birleşdirilen awtoulag ýollary ýaly onlarça gatlak bar.
Iş wagty: Iýul-08-2023
